硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计及制备方法

摘要

本发明公开了一种硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计，该应变计包括绝缘体上硅圆片，以及覆盖在绝缘体上硅圆片上的氧化层，绝缘体上硅圆片上开有深槽，且深槽的侧壁和底面均设有氧化层，在深槽相对的两个侧壁上分别设有一个生长纳米线的窗口，该窗口上设有锡纳米颗粒催化剂层，锡纳米颗粒催化剂层上生长硅锗异质结纳米线阵列，两个生长纳米线且相对的窗口通过该硅锗异质结纳米线阵列相连接。该应变计采用硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件，提高敏感源灵敏度，同时，还公开该应变计的制备方法，该制备方法简单，且与现有的集成电路工艺具有兼容性。

主权项

一种硅锗异质结纳米线阵列作为敏感元件的应变计，其特征在于，该应变计包括绝缘体上硅圆片(1)，以及覆盖在绝缘体上硅圆片(1)上的氧化层(9)，绝缘体上硅圆片(1)上开有深槽，且深槽的侧壁和底面均设有氧化层，在深槽相对的两个侧壁上分别设有一个生长纳米线的窗口(2)，该窗口(2)上设有锡纳米颗粒催化剂层(6)，锡纳米颗粒催化剂层(6)上生长硅锗异质结纳米线阵列(5)，两个生长纳米线且相对的窗口(2)通过该硅锗异质结纳米线阵列(5)相连接。