抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法

摘要

本发明涉及抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法。用于在衬底上沉积膜的衬底处理系统包括限定了反应体积的工艺室。喷头包括一端邻近工艺室的上表面连接的杆部。基部被连接到杆部的另一端，并从杆部径向向外延伸。喷头被配置为将工艺气体和清扫气体中的至少一种引入到反应体积中。等离子体发生器被配置为在反应体积内有选择地生成RF等离子体。边缘调整系统包括环和位于在环和喷头的上表面之间的杆部周围的寄生等离子体减少元件。寄生等离子体减少元件被配置为减少在喷头和工艺室的上表面之间的寄生等离子体。

主权项

一种用于在衬底上沉积膜的衬底处理系统，其包括：限定反应体积的工艺室；喷头，其包括：杆部,其一端与所述工艺室的上表面邻近连接；和基部，其被连接到所述杆部的另一端并从所述杆部径向向外延伸，其中所述喷头被配置为将工艺气体和清扫气体中的至少一种引入到所述反应体积中；等离子体发生器，其被配置为在所述反应体积内有选择地生成RF等离子体；和边缘调整系统，其包括：配置在所述喷头的位于所述喷头的所述基部和所述工艺室的所述上表面之间的所述杆部周围的环，其中，所述环包括一个或多个孔，用于从所述环的内腔提供清扫气体到在所述喷头的所述基部和所述工艺室的所述上表面之间的区域，其中所述清扫气体是反应物气体；和位于在所述环和所述喷头的上表面之间的所述杆部周围且被配置为减少在所述喷头和所述工艺室的所述上表面之间的寄生等离子体的寄生等离子体减少元件。