制造相变化记忆体的方法

摘要

一种制造相变化记忆体的方法：(i)形成加热元件于半导体基材上；(ii)形成第一介电层于半导体基材及加热元件上方，第一介电层具有开口暴露出加热元件；(iii)形成阻障层衬裹开口的侧壁；(iv)形成相变化材料层覆盖第一介电层及阻障层，并填充开口；(v)移除相变化材料层位于第一介电层上方的部分，而暴露出第一介电层；(vi)在开口中形成相变化元件，相变化元件的上表面和及阻障层定义出凹口；(vii)形成电极材料层覆盖第一介电层，并填充凹口；以及(viii)移除电极材料层位于第一介电层上方的部分，而形成嵌设在凹口内的电极结构。上述方法能够解决曝光制程中的对准问题。

主权项

一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：形成至少一加热元件于一半导体基材上；形成一第一介电层于该半导体基材及该加热元件上方，其中该第一介电层具有至少一开口暴露出该加热元件；形成一阻障层衬裹该开口的一侧壁；形成一相变化元件于该开口内，其中该相变化元件的一上表面以及该阻障层定义出一凹口；形成一电极材料层覆盖该第一介电层，并填充该凹口；以及移除该电极材料层位于该第一介电层上方的部分，而形成嵌设在该凹口内的一电极结构。