发明名称 | 一种光学晶体掺杂方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光学晶体掺杂方法,即为对光学晶体掺杂氢元素,所述氢元素包括氢分子、氢原子和氢离子;优选的,所述光学晶体为硼酸铯锂晶体。本发明提供的光学晶体掺杂方法,通过原料制备、晶体生长以及晶体后处理等过程的氢掺杂,使氢元素掺杂到光学晶体的结构内部,能够提高光学晶体(尤其是CLBO晶体)的倍频转换效率、实现光学晶体(尤其是CLBO晶体)的紫外截止波长的蓝移、提高光学晶体(尤其是CLBO晶体)的硬度和弹性模量;因此本发明的氢元素掺杂方法同时能够作为提高晶体倍频转换效率的方法、实现晶体紫外截止波长蓝移的方法和提高晶体硬度和弹性模量的方法。 | ||
申请公布号 | CN103334156B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
申请号 | CN201310292421.1 | 申请日期 | 2013.07.12 |
申请人 | 东南大学 | 发明人 | 王增梅;王珠峰;木村秀夫 |
分类号 | C30B31/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B31/06(2006.01)I |
代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 杨晓玲 |
主权项 | 一种光学晶体掺杂方法,其特征在于:对光学晶体掺杂氢元素,该方法为光学晶体后处理过程中的氢气掺杂,所述光学晶体为硼酸铯锂晶体,所述氢元素包括氢分子、氢原子和氢离子;所述光学晶体后处理过程中的氢气掺杂具体为:首先将硼酸铯锂晶体沿设计方向进行切割、打磨、抛光处理,然后将处理好的硼酸铯锂晶体放置于掺氢设备中,对硼酸铯锂晶体进行40h以上时长的掺氢处理;所述掺氢处理的温度为300~500℃,氢气的压力范围为2~20MPa。 | ||
地址 | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |