用于减小光点缺陷和表面粗糙度的绝缘体上半导体晶片的制造方法

摘要

公开了用于减小绝缘体上半导体结构的光点缺陷的方法以及用于减少绝缘体上半导体结构的表面粗糙度的方法。该方法可包括热退火结构跟随有非接触平滑工艺的组合的方法。

主权项

一种用于处理绝缘体上硅结构的方法，所述绝缘体上硅结构包括处理晶片、硅层和在所述处理晶片与所述硅层之间的介电层，所述硅层具有限定所述结构的外表面的裂开的表面，所述方法包括如下步骤：在包括从由氩气、氢气、氦气及其混合物组成的组中选择的气体的环境中，以至少大约950℃的温度热退火所述结构，其中所述环境包含小于大约10ppm的氧气；以及对所述裂开的表面执行非接触平滑工艺。