| 发明名称 | 薄膜晶体管及制备方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：S110、在基板的表面依次形成缓冲层、非晶硅层及第一栅极绝缘层；S120、将所述非晶硅层转化为多晶硅层；S130、对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行构图工艺，以形成多晶硅硅岛；S140、经所述第一栅极绝缘层对所述多晶硅层进行离子注入，形成沟道掺杂；S150、在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；S160、在所述第二栅极绝缘层上方形成栅极、层间绝缘层及源极和漏极。上述薄膜晶体管的制备方法，可以使多晶硅层与第一栅极绝缘层的接触界面紧密，有效避免外界环境或者后续工序对多晶硅层造成污染，而且可以使得到的薄膜晶体管沟道阈值电压不易漂移，电性能更稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105428240A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510946983.2 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 发明人 | 胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S110、在基板的表面依次形成缓冲层、非晶硅层及第一栅极绝缘层；S120、将所述非晶硅层转化为多晶硅层；S130、对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行构图工艺，以形成多晶硅硅岛；S140、经所述第一栅极绝缘层对所述多晶硅层进行离子注入，形成沟道掺杂；S150、在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；S160、在所述第二栅极绝缘层上方形成栅极、层间绝缘层及源极和漏极。 | ||
| 地址 | 516000 广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道666号科融创业大厦13层 | ||