WAVELENGTH CONVERTED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

摘要

본 발명의 실시예들에서, 발광 디바이스는 n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체를 포함한다. 발광 층에 의해 방출된 광의 경로에 제1 파장 변환 층이 배치된다. 제1 파장 변환 층은 파장 변환 세라믹일 수 있다. 제2 파장 변환 층이 제1 파장 변환 층에 융합된다. 제2 파장 변환 층은 유리에 배치된 파장 변환 재료일 수 있다.