| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括具有第一横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的输出端口和具有第二LDMOS器件和双极晶体管的静电放电保护器件，该静电放电保护器件用于防止输出端口受到静电放电的损害。第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102593119B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201110427177.6 | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李孟烈 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李敬文 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：输出端口，包括第一横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS器件；以及静电放电保护器件，包括第二LDMOS器件和双极晶体管，该静电放电保护器件保护所述输出端口免受静电放电，第二LDMOS器件的击穿电压等于或低于第一LDMOS器件的击穿电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||