发明名称 |
一种恒流驱动芯片上电复位电路 |
摘要 |
本发明公开了一种恒流驱动芯片上电复位电路,包括:电源跟随控制模块、施密特触发模块和反相模块;所述电源跟随控制模块,用于在电源电压VDD波动时,控制所述施密特触发模块的触发端电压跟随电源电压VDD变化;所述施密特触发模块,用于根据所述触发端电压输出上电复位信号;所述反相模块,用于将所述上电复位信号反相输出。 |
申请公布号 |
CN101882926B |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201010218024.6 |
申请日期 |
2010.06.24 |
申请人 |
深圳市中庆微科技开发有限公司 |
发明人 |
徐微;邵寅亮;阮为 |
分类号 |
H03K17/22(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/22(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
丁建春 |
主权项 |
一种恒流驱动芯片上电复位电路,其特征在于,包括:电源跟随控制模块、施密特触发模块和反相模块;所述电源跟随控制模块,用于在电源电压VDD波动时,控制所述施密特触发模块的触发端电压跟随电源电压VDD变化;所述电源跟随控制模块包括第一NMOS管和第一镜像NMOS管,第一PMOS管和第二镜像PMOS管,所述第一NMOS管的漏极与恒流源Vbias连接,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的栅极与所述第一NMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的漏极与所述第一镜像NMOS管的漏极连接,所述第一PMOS管的源极接电源电压VDD,所述第一PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的漏极连接;所述第一镜像NMOS管的源极接地,所述第一镜像NMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极连接;所述第二镜像PMOS管的源极接电源电压VDD,所述第二镜像PMOS管的栅极接第一PMOS管的栅极;所述第一镜像NMOS管用于形成所述第一NMOS管的镜像电流,所述第二镜像PMOS管用于形成第一PMOS管的镜像电流;还包括一电容,所述第二镜像PMOS管的漏极与所述电容的一端、所述施密特触发器的触发端连接,所述电容另外一端接地;所述施密特触发模块包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管,所述第三PMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管依次串联,所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极连接,所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极连接,所述第三PMOS管的源极连接电源电压,所述第三NMOS管的源极接地,所述第三NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极连接,所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管的栅极和所述第二镜像PMOS管的漏极连接;所述第四PMOS管的源极连接所述第三PMOS管的漏极,所述第四PMOS管的漏极接地,所述第四PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极,所述第四NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极,所述第四NMOS管的漏极连接电源电压,所述第四NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极,用于根据所述触发端电压输出上电复位信号;所述反相模块,用于将所述上电复位信号反相输出。 |
地址 |
广东省深圳市福田区车公庙工业区泰然211栋工业厂房第7层706 |