区域字元线驱动器及其闪存阵列装置

摘要

本发明公开了一种反或型闪存的区域字符线驱动器及其闪存阵列装置。该区域字符线驱动器系用于驱动内存阵列中一区段内的一区域字符线，该区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个，系由串联的一第一晶体管及一第二晶体管组成，该第一及第二晶体管皆为NMOS晶体管。藉此可减少区域字符线驱动器于电路上占用的面积、缩小芯片尺寸，或者是节省更多的面积来供内存单元使用。

主权项

一种闪存阵列装置，其特征在于，所述的闪存阵列装置包含：一内存阵列，系包含多个存储单元，所述的存储单元区分为复数个区块，每一区块具有复数个区段，每一区段具有复数条区域字符线；复数个区域字符线驱动器，各耦接至对应的区域字符线，每一区域字符线驱动器具有的晶体管数量系为两个，其系由串联的一第一晶体管及一第二晶体管组成，且皆为NMOS晶体管，其中，同一行上，每一区域字符线驱动器的第一晶体管的漏极端皆耦接至同一漏极控制端；及复数个全域字符线译码器，系对应于每一区段并各耦接至对应区段内的所有区域字符线驱动器，其中，所述第一晶体管及第二晶体管串联的方向系垂直于所述区域字符线，同一区块内且同一行的相邻两区域字符线驱动器中，所述的第一晶体管及所述的第二晶体管排列的顺序系为相反。