| 发明名称 | 鳍型场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种鳍型场效应晶体管及其制造方法，本发明通过使所述鳍体的第二部分的宽度大于第一部分的宽度，能够降低所述鳍型场效应晶体管栅区鳍体的温度，通常可降至4.1×10<sup>2</sup>K～4.4×10<sup>2</sup>K；特别地，所述第一部分(通常包括所述栅区鳍体下部的非有源区)的温度将降至4.1×10<sup>2</sup>K～4.2×10<sup>2</sup>K，从而提高了鳍型场效应晶体管的性能；此外，所述鳍体的第一部分全部为二氧化硅也可进一步降低栅区鳍体的温度，提高鳍型场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103000524B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201110270300.8 | 申请日期 | 2011.09.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种鳍型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底由上至下依次包括顶层硅、埋置氧化层及背衬底；刻蚀所述SOI衬底以形成鳍体，形成鳍体的步骤包括：刻蚀所述顶层硅以形成第一鳍体，所述第一鳍体包括第一部分及位于第一部分之上的初始部分，所述初始部分的宽度与所述第一部分的宽度相同；在所述第一部分两侧形成保护层；对所述初始部分进行处理，形成第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；对所述鳍体进行氧化处理；在所述鳍体上形成栅极及源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区上海市张江路18号 | ||