| 发明名称 | 一种制备光学防伪元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备光学防伪元件的方法，其能够克服现有技术中在制备光学防伪元件时效率低、质量难控、不能精细准确地定位去反射层镂空等缺陷。该方法包括：提供薄膜材料，该薄膜材料至少包括依次层叠的支撑层、模压层和镀层；对所述薄膜材料进行压印，以形成至少第一起伏结构区域和第二起伏结构区域，其中所述第一起伏结构区域中的镀层的顶部和/或底部具有开口，所述第二起伏结构区域中的镀层中没有开口；将所述薄膜材料置于能与所述镀层和/或所述模压层进行反应的去镀层氛围中，直到所述第一起伏结构区域中的镀层被去除而所述第二起伏结构区域中的镀层仍然保留所需厚度为止。 | ||
| 申请公布号 | CN104057747B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201310598261.3 | 申请日期 | 2013.11.22 |
| 申请人 | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 | 发明人 | 胡春华;吴远启;周赟;张宝利;张巍巍 |
| 分类号 | B42D25/30(2014.01)I;B42D25/40(2014.01)I | 主分类号 | B42D25/30(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 主权项 | 一种制备光学防伪元件的方法，该方法包括：提供薄膜材料，该薄膜材料至少包括依次层叠的支撑层、模压层和镀层；对所述薄膜材料进行压印，以形成至少第一起伏结构区域和第二起伏结构区域，其中所述第一起伏结构区域中的镀层的顶部和/或底部具有开口，所述第二起伏结构区域中的镀层中没有开口；将所述薄膜材料置于能与所述镀层和/或所述模压层进行反应的去镀层氛围中，直到所述第一起伏结构区域中的镀层被去除而所述第二起伏结构区域中的镀层仍然保留所需厚度为止。 | ||
| 地址 | 100070 北京市丰台区科学城星火路6号 | ||