穿硅通孔与其形成方法

摘要

本发明公开了一种穿硅通孔的结构，其包含一导电电极、一绝缘层以及一掺杂区。其中，导电电极设置于一基底中，导电电极会贯穿基底的一第一表面以及一第二表面。绝缘层设置于基底中，并包围所述导电电极。掺杂区设置于基底中，并包围所述绝缘层。本发明的穿硅通孔由于具有掺杂区包围在导电电极以及绝缘层中，故可以解决现有技术中漏电流以及杂讯过高的缺陷。本发明另外还提供了一种穿硅通孔的形成方法。

主权项

一种穿硅通孔，其特征在于，包括：导电电极设置于基底中，其中所述导电电极贯穿所述基底的第一表面以及第二表面；绝缘层设置于所述基底中，并包围所述导电电极；以及掺杂区设置于所述基底中，并包围所述绝缘层，另外所述基底的所述第二表面上完全覆盖有所述掺杂区。