发明名称 高气敏性能的多元复合金属氧化物、制备方法及应用
摘要 本发明公开了高气敏性能的多元复合金属氧化物、制备方法及应用,将p型半导体金属氧化物对应的金属离子、n型半导体金属氧化物对应的金属离子和掺杂金属离子混合,加入配位剂,经沉淀、老化、干燥、煅烧即得高气敏性能的多元复合金属氧化物,掺杂金属价态低于p型半导体的金属价态,或者掺杂金属价态高于n型半导体的金属价态。本发明复合形成的金属氧化物具有提高灵敏性和响应性的p-n结,同时进行适量的掺杂处理,形成三元或四元的复合金属氧化物;通过加入配位剂来调整、控制多元金属复合羟基化合物的结构,从而实现金属复合氧化物材料的结构可控。
申请公布号 CN105424757A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201610015673.3 申请日期 2016.01.11
申请人 济南大学 发明人 张玲;李曦峰;牟宗刚
分类号 G01N27/00(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I 主分类号 G01N27/00(2006.01)I
代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人 赵妍
主权项 高气敏性能的多元复合金属氧化物的制备方法,其特征是,将p型半导体金属氧化物对应的金属离子、n型半导体金属氧化物对应的金属离子和掺杂金属离子混合,加入配位剂,经沉淀、老化、干燥、煅烧即得高气敏性能的多元复合金属氧化物,掺杂金属价态低于p型半导体的金属价态,或者掺杂金属价态高于n型半导体的金属价态。
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