发明名称 |
高气敏性能的多元复合金属氧化物、制备方法及应用 |
摘要 |
本发明公开了高气敏性能的多元复合金属氧化物、制备方法及应用,将p型半导体金属氧化物对应的金属离子、n型半导体金属氧化物对应的金属离子和掺杂金属离子混合,加入配位剂,经沉淀、老化、干燥、煅烧即得高气敏性能的多元复合金属氧化物,掺杂金属价态低于p型半导体的金属价态,或者掺杂金属价态高于n型半导体的金属价态。本发明复合形成的金属氧化物具有提高灵敏性和响应性的p-n结,同时进行适量的掺杂处理,形成三元或四元的复合金属氧化物;通过加入配位剂来调整、控制多元金属复合羟基化合物的结构,从而实现金属复合氧化物材料的结构可控。 |
申请公布号 |
CN105424757A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201610015673.3 |
申请日期 |
2016.01.11 |
申请人 |
济南大学 |
发明人 |
张玲;李曦峰;牟宗刚 |
分类号 |
G01N27/00(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/00(2006.01)I |
代理机构 |
济南圣达知识产权代理有限公司 37221 |
代理人 |
赵妍 |
主权项 |
高气敏性能的多元复合金属氧化物的制备方法,其特征是,将p型半导体金属氧化物对应的金属离子、n型半导体金属氧化物对应的金属离子和掺杂金属离子混合,加入配位剂,经沉淀、老化、干燥、煅烧即得高气敏性能的多元复合金属氧化物,掺杂金属价态低于p型半导体的金属价态,或者掺杂金属价态高于n型半导体的金属价态。 |
地址 |
250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |