发明名称 |
阵列基板及其制备方法、显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的制备方法包括:在基底上方通过构图工艺形成包括源极和漏极的图形;形成第一绝缘层;通过构图工艺形成包括有源层的图形;形成第二绝缘层,并在位于源、漏极上方的第一绝缘层和第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔;在位于有源层的源极接触区和漏极接触区上方的第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔;通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形;第一连接线通过第一过孔和第三过孔将源极与有源层的源极接触区连接;第二连接线通过第二过孔和第四过孔将漏极与有源层的漏极接触区以及像素电极连接。 |
申请公布号 |
CN105428313A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201610007037.6 |
申请日期 |
2016.01.05 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
马应海;李良坚;左岳平 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
柴亮;张天舒 |
主权项 |
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基底上方,通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形;形成第一绝缘层;通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形;形成第二绝缘层,并在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔;在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔;通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形;其中,所述第一连接线通过所述第一过孔和所述第三过孔将所述源极与所述有源层的源极接触区连接;所述第二连接线通过所述第二过孔和所述第四过孔将所述漏极与所述有源层的漏极接触区,以及所述像素电极连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |