| 发明名称 | 一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极及制备方法，所述反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极是在Si或者SiC衬底的表面生长p型GaN纳米线，并对生长的纳米线阵列进行Cs/O激活得到，其包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层；所述衬底层为Si或者SiC。本发明能够在降低材料发射率的同时，减少光电子的输运距离，控制纳米线的直径充分吸收光子，提高了GaN光电阴极量子效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105428183A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510791534.5 | 申请日期 | 2015.11.17 |
| 申请人 | 南京理工大学 | 发明人 | 刘磊;夏斯浩;孔熠柯;常本康;张益军 |
| 分类号 | H01J1/34(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | H01J1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人 | 朱显国 |
| 主权项 | 一种反射式NEA GaN纳米线阵列光电阴极，其特征在于，包括衬底层、位于衬底层表面的纳米线阵列发射层；纳米线阵列发射层由若干p型GaN纳米线组成，p型GaN纳米线表面均吸附有Cs/O激活层。 | ||
| 地址 | 210094 江苏省南京市玄武区孝陵卫200号 | ||