一种图形传感器及其制造方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种图形传感器及其制造方法，其包括半导体衬底、层间介质层、接触电极、钙钛矿光电薄膜、钝化层以及三基色滤光膜。本发明通过钙钛矿光电薄膜的引入，使光电转换单元与其它功能单元分离，将传统CMOS图像传感器的二维平面结构优化成三维的叠层结构。本发明提出的基于钙钛矿光电薄膜的图形传感器可具有100％的填充系数，同时大大减小了芯片尺寸，此外，芯片在制作过程中不需要再兼顾硅光电二极管极低噪声的工艺要求，可降低工艺要求并显著降低成本。

主权项

一种图形传感器，其特征在于，所述图形传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底上具有悬浮电容和晶体管；层间介质层，所述层间介质层设于所述半导体衬底的上表面，且所述层间介质层内具有多层互连线和填充有金属的通孔；接触电极，在水平方向上呈阵列式分布在所述层间介质层上，且相邻的接触电极之间具有预设宽度的间隔；钙钛矿光电薄膜，覆盖在所述接触电极上，以形成图像传感器的光敏区；钝化层，覆盖在所述钙钛矿光电薄膜上，以隔绝空气和水；三基色滤光膜，设置于所述钝化层的上表面。