| 发明名称 | 加工硅晶片的方法 | ||
| 摘要 | 提供处理半导体晶片的方法，所述方法的特征在于连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)用表面活性剂清洗晶片的步骤；(3)用碱或酸清洗晶片的步骤；以及(4)用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102054669B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201010294187.2 | 申请日期 | 2010.09.21 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 西村茂树 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 处理硅晶片的方法，该方法包括连续地实施以下步骤：(1)制备打磨的半导体硅晶片；(2)继(1)之后，用表面活性剂清洗晶片；(3)继(2)之后，用氢氧化钾或氢氧化钠量在40～50重量％范围内的水溶液清洗晶片，从而除去晶片每面0.3～0.8μm，随后用超纯水清洗晶片；以及(4)继(3)之后，用高纯度氢氧化钠蚀刻晶片，其中所述高纯度氢氧化钠具有杂质，所述杂质中Cu、Ni、Mg和Cr每种的元素含量为1ppb或更低，Pb和Fe每种的元素含量为5ppb或更低，Al、Ca、Zn每种的元素含量为10ppb或更低，并且氯化物、硫酸盐、磷酸盐、和氮化物化合物的含量为1ppm或更低。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||