一种ESD保护电路

摘要

本发明涉及一种ESD保护电路，为一种可以抑制达林顿效应的二极管串结构，在P衬底的两端各设置底部连成一体的两个N阱，两个N阱之间设有P基区；并且四个N阱上各设有一个N+扩散有源区，P基区上设有P+扩散有源区和N+扩散有源区，其中四个N+扩散有源区通过导线连接，然后接电源电位VDD；第一P+扩散有源区连接电学阳极，第五N+扩散有源区与第二P+扩散有源区通过导线连接；第六N+扩散有源区连接电学阴极，本发明电路结构大大减小了流向P衬底的电流，能够有效地抑制达林顿效应，并且具有钳位能力强、泄漏电流小、单位面积抗ESD能力强的特点，能够有效地抑制闩锁效应的发生。

主权项

一种ESD保护电路，其特征在于：P衬底(1)的一端设有底部连成一体的第一N阱(21)和第二N阱(22)，第一N阱(21)和第二N阱(22)之间设有第一P基区(31)；P衬底(1)的另一端设有底部连成一体的第三N阱(23)和第四N阱(24)，第三N阱(23)和第四N阱(24)之间设有第二P基区(32)；且第一N阱(21)上设有第一N+扩散有源区(41)，第二N阱(22)上设有第二N+扩散有源区(42)，第三N阱(23)上设有第三N+扩散有源区(43)，第四N阱(24)上设有第四N+扩散有源区(44)，第一P基区(31)上设有第一P+扩散有源区(51)和第五N+扩散有源区(45)，第二P基区(32)上设有第二P+扩散有源区(52)和第六N+扩散有源区(46)；所述N阱(21、22、23、24)、P基区(31、32)、P+扩散有源区(51、52)和N+扩散有源区(41、42、43、44、45、46)通过在P衬底上进行离子注入得到；所述ESD保护电路接入由电阻R、电容C、NMOS管和PMOS管构成的检测电路中，以抬高保护电压，具体电路连接关系为：电容C的一端连接电源，另一端连接电阻R的一端及NMOS管和PMOS管的栅端；PMOS管的源端连接电源VDD，NMOS管的源端连接第一P+扩散有源区(51)，第六N+扩散有源区(46)连接电学阴极GND。