发明名称 智能老化负载
摘要 本发明公开了一种智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块。本发明通过电流采样模块和电压采样模块采集电流和电压信号,然后和预设的指标比较,通过动态调整14脚PWM的占空比,来调节主功率MOSFET的G极信号,实现全程老化过程中负载的精确恒定。本发明采用数字电路和模拟电路配合,由MCU单片机实现全程控制,达到动态改变老化模式的要求,并通过按键自主设置对应的老化指标,实现单独的指标设置和报警功能。本发明成本低廉,配置灵活,人工成本需求低,并可以为不同规模的企业带来极高的生产效率。
申请公布号 CN105425170A 申请公布日期 2016.03.23
申请号 CN201510903419.2 申请日期 2015.12.09
申请人 浙江榆阳电子有限公司 发明人 严海林;吴海燕;方洁苗
分类号 G01R31/40(2014.01)I 主分类号 G01R31/40(2014.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 沈孝敬
主权项 智能老化负载,包括主功率MOSFET、MCU、CC控制模块、CV控制模块、模式转换开关模块、电流采样模块、电压采样模块、电压选择模块、串转并信号模块、显示模块和按键模块,所述的主功率MOSFET的漏、源极分别连接到被老化电源的输出端与地之间,其特征在于:所述的电流采样模块采集主功率MOSFET的源极电流信号,并输出电流采样信号到MCU;所述的电压采样模块采集主功率MOSFET的漏极电压信号,并输出电压采样信号到电压选择模块;所述的电压选择模块接收MCU的控制信号,选择相应的电压采样信号,并输出到CV控制模块和MCU;所述的MCU检测到电流采样信号和电压采样信号,产生PWM控制信号控制所述的CC控制模块、CV控制模块和模式转换开关模块;所述的CC控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒流模式时,驱动主功率MOSFET;所述的CV控制模块接收MCU输出的PWM控制信号,经运放后输出到模式转换开关模块;在模式转换开关模块切换到恒压模式时,驱动主功率MOSFET;所述的模式转换开关根据MCU的控制信号,选择导通CC控制模块和CV控制模块的输出信号,通过动态调整PWM的占空比来调节所述的主功率MOSFET的栅极信号实现被老化电源的老化测试;所述的串转并信号模块接收MCU输出的串行信号并转化为并行输出到显示模块。
地址 314500 浙江省嘉兴市桐乡市桐乡经济开发区同德路656号