高频功率二极管及其制造方法

摘要

提供一种高频功率二极管，其包括：具有第一主侧(101)和第二主侧(102)的半导体晶圆，形成在第一主侧(101)上的第一导电类型的第一层(103)，形成在第二主侧(102)上的第二导电类型的第二层(105)以及形成在第一层(103)和第二层(105)之间的第二导电类型的第三层(104)。第一层(103)具有从邻近于晶圆的第一主侧(101)的10¹⁹cm^-3或更高降低到第一层(103)和第三层(104)接触面处的1.5·10¹⁵cm^-3或更少的掺杂剂浓度。第二层(105)具有从邻近于晶圆的第二主侧(102)的10¹⁹cm^-3或更高降低到第二层(105)和第三层(104)接触面处的1.5·10¹⁵cm^-3或更少的掺杂剂浓度，并且第三层(104)具有1.5·10¹⁵cm^-3或更少的掺杂剂浓度。距第一主侧(101)50μm距离处的第一层(103)中掺杂剂浓度和距第二主侧(102)50μm距离处的第二层(105)中掺杂剂浓度分别为10¹⁷cm^-3或更高，并且第三层(104)的厚度小于60μm。

主权项

一种高频功率二极管，包括：半导体晶圆，所述半导体晶圆具有第一主侧(101)和与所述第一主侧(101)相对的第二主侧(102)，第一层(103)，所述第一层(103)形成在所述半导体晶圆中邻近于所述第一主侧(101)，所述第一层(103)具有是n或p型导电性的第一导电类型，第二层(105)，所述第二层(105)形成在所述半导体晶圆中邻近于所述第二主侧(102)，所述第二层(105)具有第二导电类型，所述第二导电类型是n或p型导电性但是不同于所述第一导电类型，第三层(104)，所述第三层(104)形成在所述半导体晶圆中在所述第一层(103)和所述第二层(105)之间，所述第三层(104)具有所述第二导电类型，其中，所述第一层(103)具有第一导电类型掺杂剂浓度，所述第一导电类型掺杂剂浓度从邻近于所述晶圆的所述第一主侧(101)的10¹⁹cm^‑3或更高降低到所述第一层(103)和所述第三层(104)接触面处的1.5·10¹⁵cm^‑3或更低，其中，所述第二层(105)具有第二导电类型掺杂剂浓度，所述第二导电类型掺杂剂浓度从邻近于所述晶圆的所述第二主侧(102)的10¹⁹cm^‑3或更高降低到所述第二层(105)和所述第三层(104)接触面处的1.5·10¹⁵cm^‑3或更低，以及其中，所述第三层(104)具有1.5·10¹⁵cm^‑3或更低的第二导电类型掺杂剂浓度，特征在于，距所述第一主侧(101)50μm距离处的所述第一层(103)中所述第一导电类型掺杂剂浓度和距所述第二主侧(102)50μm距离处的所述第二层(105)中所述第二导电类型掺杂剂浓度分别是10¹⁷cm^‑3或更高，并且所述第三层(104)的厚度小于60μm。