富集硅的前体组合物及使用其的设备和方法

摘要

公开了同位素富集的硅前体组合物，相对于缺乏该同位素富集的硅前体组合物的相应离子注入，其用在离子注入中以提高离子注入系统性能。该硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，并且可包括含有同种气体和稀释气体中至少一种的补充气体，所述至少一种硅化合物以²⁸Si、²⁹Si和³⁰Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上。公开了用于将硅掺杂组合物提供至离子注入机的掺杂气体供应设备，以及包括掺杂气体供应设备的离子注入系统。

主权项

一种离子注入硅的方法，包括：离子化硅掺杂组合物以形成离子化的硅，并将离子化的硅与衬底接触以使硅注入衬底中，其中硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，所述至少一种硅化合物以²⁸Si、²⁹Si和³⁰Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上，并且其中当硅掺杂组合物由以²⁹Si富集的四氟化硅组成时，富集的水平在50原子％以上且最高达100原子％。