| 发明名称 | 半导体元件基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件基板的制造方法，其包含如下工序而成：对半导体元件表面或所述半导体元件中所含的半导体层表面进行等离子体处理的工序；在进行有所述等离子体处理的所述半导体元件表面或所述半导体层表面上形成含有有机材料的钝化膜的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102640268B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201180004752.X | 申请日期 | 2011.03.01 |
| 申请人 | 日本瑞翁株式会社 | 发明人 | 田边彰洋 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11484 | 代理人 | 张永新 |
| 主权项 | 一种半导体元件基板的制造方法，其包括以下工序：对半导体元件表面或所述半导体元件所含的半导体层表面进行1～10分钟的氢等离子体处理，从而终止悬空键的工序；在通过所述氢等离子体处理而终止了悬空键的所述半导体元件表面或所述半导体层表面上通过涂布法形成含有有机材料的钝化膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||