MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器

摘要

本发明适用于存储技术领域，提供了一种MLC NAND型固态硬盘及读写控制方法、闪存控制器，用以将MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，该读写控制方法包括：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作。借此，本发明能将MLCNAND型固态硬盘仿真为SLC NAND型固态硬盘，提高了MLC NAND型固态硬盘的性能。

主权项

一种MLC NAND型固态硬盘读写控制方法，用以将所述MLC型闪存芯片仿真为SLC型闪存芯片，其特征在于，所述方法包括如下步骤：将MLC型闪存芯片的一个物理页映射至两个相同大小逻辑页，其中一个逻辑页由所述物理页中的最低有效位映射组成，另外一个逻辑页由所述物理页中的最高有效位映射组成；对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行读写操作，所述逻辑页由存储单元的低电压状态表示第一数字，高电压状态表示第二数字；所述仅获取所述两个相同大小逻辑页的其中一个进行操作的步骤包括：对所述MLC型闪存芯片进行读写操作时，仅获取由所述物理页中的最高有效位映射组成的逻辑页进行读写操作。