一种八晶体管静态随机存储器单元

摘要

本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。本发明在晶体管的源区进行与体区掺杂相同极性的重掺杂，实现源区与体区的欧姆接触，消除部分耗尽SOI晶体管的浮体效应，不需要额外增加工艺和版图，并保证了单元的高集成度。本发明与常规CMOS工艺兼容，适用于工业生产。

主权项

一种八晶体管静态随机存储器单元，其特征在于，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及第六NMOS晶体管组成；所述第三NMOS晶体管的源极同时连接所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第一位线；所述第四NMOS晶体管的源极同时连接所述第一反相器的输入端及所述第二反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第一位线bar；所述第五NMOS晶体管的源极连接所述第一反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第二位线；所述第六NMOS晶体管的源极连接所述第二反相器的输出端，栅极连接存储器的字线，漏极连接存储器的第二位线bar；其中，所述第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管均采用源体欧姆接触体引出结构。