具非对准型超级结结构的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具非对准型超级结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，设于所述衬底上，为第一掺杂类型；柱区，设于所述外延层内，为第二掺杂类型；掺杂区，设于所述柱区上方，为第二掺杂类型；金属电极，设于掺杂区上；所述柱区和掺杂区之间被所述外延层所隔断而无直接接触，所述柱区和掺杂区相距最近处的垂直距离为2至10微米。本发明还涉及一种具非对准型超级结结构的半导体器件的制造方法。本发明非对准型超级结结构与正面结构分离，生产的工艺难度降低。另外，非对准型超级结结构与正面结构分离，与产品电流大小（产品型号）不相关，使得同一系列产品均可采用相同的超级结结构，适用于系列化，从而降低超级结结构量产成本。

主权项

一种具非对准型超级结结构的半导体器件，包括：衬底；外延层，设于所述衬底上，为第一掺杂类型；柱区，设于所述外延层内，为第二掺杂类型；掺杂区，设于所述柱区上方，为第二掺杂类型；金属电极，设于掺杂区上；其特征在于，所述柱区和掺杂区之间被所述外延层所隔断而无直接接触，所述柱区和掺杂区相距最近处的垂直距离为2至10微米；所述外延层包括柱区外延层和设于柱区外延层上的正面工艺外延层，所述柱区设于所述柱区外延层内，各个柱区之间的结构也为所述柱区外延层；所述正面工艺外延层的厚度为5至15微米。