垂直紫外线发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直紫外线发光装置及其制造方法。所述垂直紫外线发光装置包括：包括A1的p型半导体层；设置在p型半导体层上且包括Al的有源层；设置在有源层上且包括Al的n型半导体层；设置在n型半导体层上且掺杂有n型的金属接触层；以及形成在金属接触层上的衬垫，其中金属接触层具有比n型半导体层的Al含量低的Al含量。根据本发明的示例性实施例，金属接触层形成在n型半导体层上以允许金属接触层而不是包括AlGaN的n型半导体层充当接触层，从而有效地提高了垂直紫外线发光装置的n型接触特性。

主权项

一种垂直紫外线发光装置，所述垂直紫外线发光装置包括：p型半导体层，包括Al；有源层，设置在所述p型半导体层上且包括所述Al；n型半导体层，设置在所述有源层上且包括所述Al；金属接触层，设置在所述n型半导体层上且掺杂有n型；以及衬垫，形成于所述金属接触层上，其中所述金属接触层具有比所述n型半导体层的Al含量低的Al含量。