| 发明名称 | 一种用于STT-MRAM的磁性隧道结 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁电阻随机存储器，尤其涉及一种用于自旋转移扭矩磁电阻随机存储器的含有高阻尼系数亚铁磁固定层的磁性隧道结，包括：铁磁性的自由层、势垒层、含有亚铁磁性的固定层，势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的角动量补偿温度与STT-MRAM的工作温度匹配，所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。本发明的有益效果在于：将亚铁磁材料用于STT-MRAM中MTJ的固定层，从而增加固定层的阻尼系数，降低STT写电流对固定层的扰动，提高STT-MRAM的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105428522A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510862052.4 | 申请日期 | 2015.12.01 |
| 申请人 | 中电海康集团有限公司 | 发明人 | 李辉辉;左正笏;徐庶;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人 | 张慧英 |
| 主权项 | 一种用于STT‑MRAM的磁性隧道结，其特征在于包括：铁磁性的自由层、势垒层、含有亚铁磁性的固定层，势垒层由非磁性物质构成并位于铁磁性的自由层和含有亚铁磁性的固定层之间，含有亚铁磁性的固定层的角动量补偿温度与STT‑MRAM的工作温度匹配，所述角动量补偿温度下含有亚铁磁性的固定层具有高阻尼系数。 | ||
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区文一西路998号海创园4号楼701室 | ||