发明名称 |
一种中空halbach取向钕铁硼磁体 |
摘要 |
本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体,包括本体,本体为块状,本体内部设置有至少3个孔洞,孔洞包括至少两条蛇形孔道和至少一条直形孔道,其中蛇形孔道相互缠绕,相邻孔洞间壁厚大于等于0.01mm,孔洞结构区域占本体总体积的10-25%,本体具有磁化区,磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向,磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。本发明通过结合磁体中的局部中空结构以及halbach阵列取向,以在降低磁体平均密度,调整重心的同时,避免场强性能的降低,从而提高应用的效率与便利性。 |
申请公布号 |
CN105427991A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510815050.X |
申请日期 |
2015.11.23 |
申请人 |
宁波尼兰德磁业有限公司 |
发明人 |
王海涛 |
分类号 |
H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01F1/057(2006.01)I |
代理机构 |
宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 |
代理人 |
张向飞 |
主权项 |
一种中空halbach取向钕铁硼磁体,包括本体,其特征在于:所述本体为块状,所述本体内部设置有至少3个孔洞,所述孔洞包括至少两条蛇形孔道和至少一条直形孔道,其中蛇形孔道相互缠绕,相邻孔洞间壁厚大于等于0.01mm,孔洞结构区域占本体总体积的10‑25%,所述本体具有磁化区,所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向,所述磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。 |
地址 |
315145 浙江省宁波市鄞州经济开发区鄞东北路411号 |