发明名称 |
麦克风结构及其形成方法 |
摘要 |
一种麦克风结构及其形成方法,结构包括:衬底,所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;位于所述衬底的第一表面的电容结构;位于所述衬底内的背腔,所述衬底的第二表面暴露出所述背腔的顶部,所述背腔的底部暴露出所述电容结构,所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口,所述第二开口底部暴露出所述第一开口,且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸。所述麦克风结构的灵敏度提高。 |
申请公布号 |
CN105430581A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201410432197.6 |
申请日期 |
2014.08.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
刘炼;李卫刚;郭亮良;郑超 |
分类号 |
H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I |
主分类号 |
H04R19/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;骆苏华 |
主权项 |
一种麦克风结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面;在所述衬底的第一表面形成电容结构;在所述衬底的第二表面形成背腔,所述背腔的底部暴露出所述电容结构,所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口,所述第二开口底部暴露出所述第一开口,且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |