| 发明名称 | 氮化物底层及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化物底层结构及其制作方法，采用具有一开放式条状孔洞的溅射式AlN层作为缓冲层，从而在氮化物薄膜生长于该缓冲层之前提供应力释放的路径，可以提升氮化物底层结构的晶格质量并且改善表面裂纹。本发明同时提供了一种采用该氮化物底层结构的发光二极管结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105428481A | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201510921684.3 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 林文禹;陈圣昌;钟志白;徐宸科 |
| 分类号 | H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/12(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化物底层，从下至上依次包括：衬底，溅射式AlN缓冲层，MOCVD 生长的Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x‑y</sub>Ga<sub>y</sub>N层（0≤x≤1，0≤y≤1），其特征在于：所述溅射式AlN缓冲层具有平坦的表面，其内部具有条状孔洞，用于提供应力释放的路径。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||