| 发明名称 | 一种TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层及制备方法。所述TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层由纳米复合结构的CrAlSiN层和TiN层交替沉积在基体上形成，靠近基体的一层为TiN层，最上层为纳米复合结构的CrAlSiN层；所述TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层厚度为2.0-3.2μm，所述纳米复合结构的CrAlSiN层厚度为1.2nm，所述的TiN层厚度为6.0nm。其制备方法包括清洗基体和交替溅射CrAlSiN层和TiN层等2个步骤。该TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层硬度较高，当Si与CrAl的原子比，即Si：CrAl为5:20时，其硬度高达39.7GPa。 | ||
| 申请公布号 | CN103757597B | 申请公布日期 | 2016.03.23 |
| 申请号 | CN201410044737.3 | 申请日期 | 2014.02.07 |
| 申请人 | 上海理工大学 | 发明人 | 李伟;王建鹏;刘平;马凤仓;刘新宽;陈小红;何代华 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人 | 吴宝根;马文峰 |
| 主权项 | 一种TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层，其特征在于所述的TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层由纳米复合结构的CrAlSiN层和TiN层交替沉积在基体上形成的，靠近基体的一层为TiN层，最上层为TiN层；所述的TiN/CrAlSiN纳米复合多层涂层厚度为2.0‑3.2μm，所述纳米复合结构的CrAlSiN层厚度为1.2nm，所述的TiN层厚度为6.0nm；所述基体为金属或陶瓷。 | ||
| 地址 | 200093 上海市杨浦区军工路516号 | ||