发明名称 |
一种二极管芯片的酸洗工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种二极管的生产工艺,其包括酸洗、电镀、焊接、绝缘保护和后处理五个工序。本发明的优点在于:本发明二极管的生产工艺,先酸洗、再焊接、最后焊接,在焊接之前对芯片进行酸腐蚀,避免了酸洗过程中,焊料和引线中的金属杂质会和酸液反应,影响芯片的腐蚀速率;避免金属与酸反应生成的金属离子会附着在芯片表面,省去大量清洗过程,节约资源;避免产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障,提高产品的电性良率;同时,也使得排出的清洗液中金属含量降低,降低对土壤造的污染,从而有利于环境的保护。 |
申请公布号 |
CN105428216A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201510807788.1 |
申请日期 |
2015.11.20 |
申请人 |
如皋市大昌电子有限公司 |
发明人 |
黄丽凤 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 |
代理人 |
滑春生 |
主权项 |
一种二极管芯片的酸洗工艺,其特征在于:所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、双氧水与氨水清洗及水超声清洗,其中一次酸洗的时间为115~125s,二次酸洗的时间为73~75s,双氧水与氨水清洗是时间为2~3min,水超声清洗的时间为5~8min;所述一次酸洗的清洗液为HNO<sub>3</sub>、HF、CH<sub>3</sub>COOH和H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>的混合液,所述HNO<sub>3</sub>、HF、CH<sub>3</sub>COOH和H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>的体积比为9:9:12:4;所述二次酸洗的清洗液为H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O和CH<sub>3</sub>COOH的混合液,所述H<sub>3</sub>PO<sub>4</sub>、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>、H<sub>2</sub>O和CH<sub>3</sub>COOH的体积比为1:0.4:3:0.4;所述双氧水与氨水清洗的清洗液为NH<sub>3</sub><sup>.</sup>H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>O和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的混合液,所述NH<sub>3</sub><sup>.</sup>H<sub>2</sub>O、H<sub>2</sub>O和H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>的体积比为2:1:5。 |
地址 |
226500 江苏省南通市如皋市柴湾镇镇南村13组 |