低熱膨張係数の上部を備えたワーク受台構造

摘要

半導体加工に用いられる支持アッセンブリは、処理基材と、処理基材上に直接配置されたヒーター層と、ヒーター層上に配置された絶縁層と、絶縁層上に配置された第２基材とを備える。ヒーター層は、処理基材と直接接触するように、積層工程により処理基材上に直接配置される。処理基材は、ヒーター層の熱膨張係数に整合する比較的低い熱膨張係数を有する材料を規定する。【選択図】図１