| 摘要 |
본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 미세 재배선층이 필요한 부분의 연결을 위해 웨이퍼 팹 또는 회로기판을 이용한 인터포저를 이용하고, 나머지 정상 재배선층을 팬-아웃 범핑 기술을 이용하여 형성함으로써, 패키징 레벨에서의 장비 및 설비 투자를 최소화하고 미세 재배선층의 기능 구현이 용이한 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스를 제공하는데 있다. 이를 위해 본 발명은 다수의 반도체 다이를 접착 테이프 위에 배열하는 단계; 상기 접착 테이프 위의 반도체 다이를 인캡슐란트로 인캡슐레이션하는 단계; 상기 접착 테이프를 제거하고, 상기 반도체 다이 및 인캡슐란트의 표면에 제1재배선층을 형성하는 단계; 상기 제1재배선층에 인터포저를 전기적으로 접속하여, 상기 다수의 반도체 다이가 상호간 전기적으로 연결되도록 하는 단계; 및 상기 제1재배선층에 솔더볼을 접속하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 디바이스를 개시한다. |
