MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY HAVING FOLDED MEMORY ARRAY STRUCTURE

摘要

트랜지스터의 사이즈를 증가시킴 없이 빠른 쓰기 시간을 실현하는 자기 저항 메모리 장치가 개시된다. 상기 자기 저항 메모리 장치는 복수의 어레이들을 가지는 메모리 블록 및 상기 메모리 블록의 쓰기 동작을 제어하는 드라이버를 포함한다. 여기서, 상기 어레이들 중 적어도 하나는 접힌 구조를 가진다.