| 摘要 |
다양한 예시적인 실시예에서, 본 발명의 청구 대상은 이미지 센서 및 이미지 센서 형성 방법이다. 일 실시예에서, 이미지 센서는 반도체 기판 및 복수의 화요 영역을 포함한다. 각각의 화소 영역은 기판 상에 감광성 재료를 포함하고 감광성 재료는 광을 수용하도록 위치된다. 각 화소 영역에 대한 화소 회로 또한 센서 내에 포함된다. 각 화소 회로는 반도체 기판 및 판독 회로에 형성된 전하 저장부를 포함한다. 비금속 접촉 영역은 각 화소 영역의 감광성 재료와 전하 저장부 사이에 위치하고, 전하 저장부는 비금속 접촉 영역을 통해 각 화소 영역의 감광성 재료와 전기적 연통한다. |
