发明名称 チョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法
摘要 本発明は、ゾーンメルト段階の等径成長工程において、ゾーンメルトシリコン単結晶炉の電気制御系統による制御の下で、下方回転モータを正方向、逆方向に交互に回転させて、前記下方回転モータによって所定の正方向角度と逆方向角度でシリコン単結晶を回転させるチョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法を提供する。本発明は、ソーラーグレードシリコン単結晶の径方向における均一性を高め、ソーラーグレードシリコン単結晶の中心部が黒化する課題を解決し、当該ソーラーグレードシリコン単結晶から得られる太陽電池の変換効率を高めることができる。【選択図】図1
申请公布号 JP2016508479(A) 申请公布日期 2016.03.22
申请号 JP20150558331 申请日期 2013.11.01
申请人 天津市環欧半導体材料技術有限公司 发明人 王 彦君;張 雪▲ジュウ▼;沈 浩平;喬 柳;劉 嘉;王 遵義;劉 錚;孫 健
分类号 C30B29/06;C30B13/28 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人
主权项
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