| 摘要 |
본 발명은, 소자영역과 화소영역이 정의된 기판 상에 일방향으로 연장하는 게이트 배선과, 상기 소자영역에 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 및 게이트 전극 위로 상기 기판 전면에 순차적으로 게이트 절연막과 순수 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와; 상기 순수 비정질 실리콘층 위로 상기 소자영역에 대응하여 금속재질의 광열변환패턴을 형성하는 단계와; 상기 광열변환패턴이 형성된 기판 대해 레이저 빔을 조사함으로써 상기 광열변환패턴이 형성된 부분에 대응하는 순수 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층으로 미세결정화하는 단계와; 상기 광열변환패턴을 제거하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층을 제거하는 동시에 상기 폴리실리콘층을 패터닝하여 상기 게이트 전극에 대응하는 상기 게이트 절연막 상에 폴리실리콘의 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 위로 상기 게이트 배선과 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 데이터 배선과, 폴리실리콘의 액티브층 위로 서로 이격하는 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층과 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 소스 및 드레인 전극과 상기 데이터 배선 위로 상기 드레인 전극을 노출시키는 보호층을 형성하는 단계와; 상기 보호층 위로 상기 드레인 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조방법을 제공한다. |
