资料写入方法、记忆体储存装置与记忆体控制器

摘要

资料写入方法、记忆体储存装置与记忆体控制器，用于控制一可复写式非挥发性记忆体模组。此可复写式非挥发性记忆体模组包括至少一个记忆体晶片，并且每一个记忆体晶片包括多个实体抹除单元。此资料写入方法包括：将资料写入至至少一个第一实体抹除单元；根据此资料产生第一错误校正码与第二错误校正码，其中第二错误校正码能校正的位元数大于第一错误校正码能校正的位元数；以及将第二错误校正码写入至一个第二实体抹除单元，其中第一实体抹除单元与第二实体抹除单元属于相同的记忆体晶片。藉此，记忆体空间的使用会更有效率。

主权项

一种资料写入方法，用于控制一可复写式非挥发性记忆体模组，其中该可复写式非挥发性记忆体模组包括至少一记忆体晶片，每一该至少一记忆体晶片包括多个实体抹除单元，每一该些实体抹除单元包括多个实体程式化单元，每一该些实体抹除单元的该些实体程式化单元包括多个快实体程式化单元以及多个慢实体程式化单元，其中该些快实体程式化单元的写入速度较该些慢实体程式化单元的写入速度快，该资料写入方法包括：将一第一资料仅写入至该些快实体程式化单元中的至少其中之一；根据该第一资料产生一第一错误校正码，该第一错误校正码系用以校正被写入至少部分该第一资料的单个该快实体程式化单元中的部分位元；根据该第一资料产生一第二错误校正码，该第二错误校正码系用以校正被写入至少部分该第一资料的该快实体程式化单元，且该第二错误校正码能校正的位元数大于该第一错误校正码能校正的位元数；将该第一错误校正码及第二错误校正码写入至该些实体抹除单元至少其中之一；将一第二资料仅写入至该些慢实体程式化单元中的至少其中之一；根据该第二资料产生一第三错误校正码，该第三错误校正码
系用以校正被写入至少部分该第二资料的单个该慢实体程式化单元中的部分位元；根据该第二资料产生一第四错误校正码，该第四错误校正码系用以校正被写入该第二资料的该些慢实体程式化单元的至少其中之一，且该第四错误校正码能校正的位元数大于该第三错误校正码能校正的位元数；以及将该第三错误校正码以及该第四错误校正码写入至该些实体抹除单元至少其中之一。