发明名称 |
基板处理装置、顶部及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
明之课题在于一边使基板面内的温度均一性提高,且一边使炉内温度迅速地降低。
其解决手段在于具有:反应管,其系处理基板;及加热部,其系配置于反应管之外周,用以加热反应管内部;及绝热部,其系配置于加热部之外周;及流路,其系于绝热部设置有复数个,用以使外部空气或冷却媒体流通;以及顶部,其系覆盖绝热部之上面,顶部,系具有:第1构件,其系形成有与流路连通,且将外部空气或冷却媒体供应至流路内部的供应口;以及第2构件,其系配置于第1构件之上方,在与第1构件之间形成有使外部空气或冷却媒体流动的空间,且形成有将空间分割成至少二个空间的分隔部。
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申请公布号 |
TWI526566 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
申请号 |
TW104108955 |
申请日期 |
2015.03.20 |
申请人 |
日立国际电气股份有限公司 |
发明人 |
竹脇基哉;小杉哲也;上野正昭 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/316(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种基板处理装置,其特征为,具有:反应管,其系处理基板;及加热部,其系配置于前述反应管之外周,用以加热前述反应管内部;及绝热部,其系配置于前述加热部之外周;及流路,其系于前述绝热部设置有复数个,用以使外部空气或冷却媒体流通;以及顶部,其系覆盖前述绝热部之上面,前述顶部,系具有:第1构件,其系形成有与前述流路连通,且将前述外部空气或冷却媒体供应至前述流路内部的供应口;以及第2构件,其系配置于前述第1构件之上方,在与前述第1构件之间形成有使前述外部空气或冷却媒体流动的空间,且形成有将前述空间分割成至少二个空间的分隔部。
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地址 |
日本 |