同接触不对称高电压Ｐ型金属氧化物半导体结构

摘要

同接触不对称高电压P型金属氧化物半导体结构，包含：位于基材中之隔离结构与掺杂井、位于基材与掺杂井中，并为隔离结构所围绕之漂移区、位于基材上以及部份位于漂移区上之闸极、位于基材中，闸极之分别两侧并为掺杂井或是漂移区所包围之源极掺杂区与汲极掺杂区、以及位于基材中之基极掺杂区。基极掺杂区直接接触源极掺杂区，是因为基极掺杂区与源极掺杂区之间没有隔离结构。

主权项

一种同接触(butting contact)不对称高电压P型金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)结构，包含：一基材；一隔离结构，位于该基材中；一掺杂井，位于该基材中，并具有一第一电性；一漂移区，其具有一第二电性，并位于该基材中、该掺杂井之上方并为该隔离结构所围绕；一闸极，位于该基材上以及部份位于该漂移区之上；一源极掺杂区，其具有该第二电性，位于该基材中、该闸极之一侧并为该掺杂井所包围；一汲极掺杂区，其具有该第二电性，位于该基材中、该闸极之另一侧并为该漂移区所包围；一基极(bulk)掺杂区，其位于该基材中、并直接接触该源极掺杂区，其中该掺杂井直接接触该源极掺杂区与该基极，还有该隔离结构直接接触该漂移区与该汲极掺杂区。