适用于发光二极体之图形化基板及其制造方法

摘要

明系有关于一种适用于发光二极体之图形化基板及其制造方法，包括有一基板、一Ⅲ族氮化物薄膜，以及一Ⅲ族氮化物层；本发明系于基板上以显影与乾式蚀刻制程形成复数个呈圆锥状之锥状体，再均匀覆盖Ⅲ族氮化物薄膜，最后以氢化物气相磊晶法沉积Ⅲ族氮化物层以形成适用于发光二极体之图形化基板；藉此，透过基板表面锥状体形成之非平整性与Ⅲ族氮化物薄膜之缓冲特性，以提升发光二极体的光萃取率与改善晶格之错位差排现象，有效增加后续磊晶制程良率，并以Ⅲ族氮化物层做为发光二极体的n型半导体层，减低发光二极体磊晶制程时间与成本。

主权项

一种适用于发光二极体之图形化基板，系至少包括有：一基板，系具有一基材，以及复数个由该基材表面向上突起且彼此不连接之锥状体；一Ⅲ族氮化物薄膜，系以蒸镀或溅镀方式对应被覆于该锥状体上；以及一Ⅲ族氮化物层，系以氢化物气相磊晶方式沉积于该Ⅲ族氮化物薄膜上。