微发光二极体

摘要

明描述微发光二极体(LED)及形成用于传递至接收基板之微LED阵列的方法。微LED结构可包括微p-n型二极体及金属化层，其中金属化层在微p-n型二极体与接合层之间。等形介电质障壁层可横跨微p-n型二极体之侧壁。可拾取微LED结构及微LED阵列并将微LED结构及微LED阵列传递至接收基板。

主权项

一种微发光二极体结构，包含：一微p-n型二极体；以及一金属化层；其中该金属化层在该微p-n型二极体与位于一基板上的一接合层之间；及一等形介电质障壁层，其横跨该微p-n型二极体之侧壁、该金属化层之侧壁以及该接合层之侧壁。