半导体装置及其制作方法

摘要

制作半导体装置的方法，包括下列步骤。提供一半导体基底，其中半导体基底具有一第一区域、一第二区域以及一第三区域。分别形成一具有一第一导电型之第一井于第一区域的半导体基底中以及第二区域的半导体基底中。形成一半导体层部分覆盖第二区域的第一井。再分别形成一具有一第二导电型之第二井于第三区域的半导体基底中以及第二区域的第一井中，其中，第二区域的第二井位于半导体层的下方。

主权项

一种半导体装置，包括：一半导体基底；一第一井，其具有一第一导电型且设置于该半导体基底中；一第一电极，设置于该第一井上；一第二电极，设置于该第一井上；一半导体层，设置于该第一井上，且位于该第一电极与该第二电极之间；一第二井，其具有一第二导电型且设置于该半导体层下方的该第一井中，该第二井完全被该半导体层覆盖；以及一重掺杂区，其具有该第一导电型且设置于该第二电极下方的第一井中。