半导体基板及其制法

摘要

半导体基板及其制法，该制法包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成复数贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露之该基板本体上形成第二介电层，且该第二介电层复延伸至该第一介电层盲孔之孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成复数连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔之孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。

主权项

一种半导体基板之制法，系包括：于一基板本体上形成第一介电层；形成复数贯穿该第一介电层且外露该基板本体的第一介电层盲孔；于该第一介电层上与外露之该基板本体上直接接触形成第二介电层，且该第二介电层复延伸至该第一介电层盲孔之孔壁上；蚀刻该第二介电层，以于该第二介电层中形成复数连通该第一介电层盲孔的介电层凹槽，并于各该第一介电层盲孔中的第二介电层中形成外露该基板本体的第二介电层盲孔，且该第一介电层盲孔之孔壁上保留有该第二介电层；以及于各该第二介电层盲孔中形成电性连接该基板本体的导电盲孔，并于该介电层凹槽中形成电性连接该导电盲孔的线路层。