| 发明名称 |
形成电容器结构的方法以及用于其的矽蚀刻液 |
| 摘要 |
形成电容器结构的方法，包括：施用矽蚀刻液于多晶矽膜或非晶矽膜，所述矽蚀刻液含硷化合物与羟胺化合物的组合，且所述矽蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶矽膜或所述非晶矽膜之部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。
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| 申请公布号 |
TWI527110 |
申请公布日期 |
2016.03.21 |
| 申请号 |
TW101106556 |
申请日期 |
2012.02.29 |
| 申请人 |
富士软片股份有限公司 |
发明人 |
水谷笃史;稻叶正;吉井朗子 |
| 分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L27/108(2006.01);C09K13/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;叶璟宗 |
| 主权项 |
一种形成电容器结构的方法，包括：施用矽蚀刻液于多晶矽膜或非晶矽膜，所述矽蚀刻液含硷化合物与羟胺化合物的组合，且所述矽蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶矽膜或所述非晶矽膜之部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。
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| 地址 |
日本 |
