| 发明名称 | 半导体结构及其制程 | ||
| 摘要 | 半导体结构包含一基底、一电阻层、一介电材、二U型金属层以及二金属。基底具有一绝缘结构。电阻层位于绝缘结构上。介电材位于电阻层上。二U型金属层位于介电材两侧及电阻层上。二金属分别位于二U型金属层上。此外，本发明亦提供形成上述半导体结构的半导体制程。 | ||
| 申请公布号 | TWI527093 | 申请公布日期 | 2016.03.21 |
| 申请号 | TW101104015 | 申请日期 | 2012.02.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈界得;林义博;廖俊雄;吕水烟;陈立强 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任;戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种半导体结构，包含：一基底具有一绝缘结构；一电阻层位于该绝缘结构上；一介电材位于该电阻层上；二U型金属层位于该介电材两侧及该电阻层上；以及二金属分别位于该二U型金属层上。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||