低功耗记忆体

摘要

低功耗记忆体包含：一记忆体单元，包括复数记忆体元件；一读取位元线单元，包括复数间隔排列且互不电连接的第一读取位元线，及一第二读取位元线，每一第一读取位元线电连接至少一记忆体元件；及一缓冲单元，包括复数三态缓冲器，每一三态缓冲器具有一电连接其中一第一读取位元线的输入端、一电连接该第二读取位元线的输出端，及一受控制而切换的控制端。藉由设置该等三态缓冲器，并将该等记忆体元件电连接该等第一读取位元线后经该缓冲单元输出至该第二读取位元线，不需感测放大器即可正常运作，且可大幅下降耗电量，并提高操作频率。

主权项

一种低功耗记忆体，包含：一记忆体单元，包括复数记忆体元件；一读取位元线单元，包括复数间隔排列且互不电连接的第一读取位元线，及一第二读取位元线，每一第一读取位元线电连接至少一记忆体元件；及一缓冲单元，包括复数三态缓冲器，每一个三态缓冲器具有一电连接其中一第一读取位元线的输入端、一电连接该第二读取位元线的输出端，及一控制端，并受控制而于导通与不导通间切换。