PROCEDE DE GRAVURE EN SURFACE D'UNE STRUCTURE TRIDIMENSIONNELLE

摘要

La présente invention concerne un procédé de gravure d'une couche diélectrique (240) située en surface d'une structure tridimensionnelle formée sur une face d'un substrat orientée suivant un plan de substrat, qui comprend une étape d'implantation d'ions de sorte à créer une couche superficielle dans la couche diélectrique (240), de manière directionnelle. Cette couche superficielle n'est ainsi pas formée partout. Ensuite, la couche en question est enlevée sauf au niveau des zones prédéfinies, telles des flancs de grille de transistor. On procède à une gravure sélective de la couche diélectrique (240) vis-à-vis du matériau de la partie résiduelle de la couche superficielle et vis-à-vis du matériau de la face du substrat. Application à la fabrication d'espaceurs de grille de transistors FinFET